Macchina per incisione a fascio ionico
Descrizione
L'attacco a fascio ionico (IBE) è una tecnica a film sottile che utilizza una sorgente ionica per eseguire processi di rimozione del materiale su un substrato. L'IBE è un tipo di sputtering a fascio ionico e, indipendentemente dal fatto che venga utilizzato per l'incisione pre-pulita o con motivi, aiuta a garantire un'adesione eccellente e una formazione precisa di strutture 3D.
Questa macchina è una soluzione per apparecchiature di incisione fisica su scala nanometrica altamente collimata, di alta precisione e altamente affidabile.
Supporta l'accuratezza della larghezza dei nanofili e l'incisione di pattern multi-tipo con rapporto d'aspetto elevato, non limitata dal tipo di materiale, incisione ad alta collimazione, elevata velocità di incisione e buona ripetibilità.
Applicazione
Reticoli planari, reticoli speciali di grande area, componenti di diffrazione DOE, dispositivi MEMS, circuiti a film sottile, dispositivi fotonici integrati
Caratteristiche
- La sorgente ionica del componente principale è controllabile in modo indipendente.
- Compatibile con IBE e RIBE, con modalità di lavoro opzionali.
- Adatto per l'incisione ad alta precisione di vari materiali, con una larghezza della linea fino a 20 nm.
- Buona capacità di processo e affidabilità della produzione.
- Il fondo e le pareti laterali del reticolo SiO/Si sono diritte.
- Consente il controllo indipendente dell'energia del raggio e del flusso ionico.
- Il processo avviene in un ambiente di lavoro a bassa pressione.
- Produce un'incisione anisotropa controllata.
- Fornisce i mezzi per incidere tutti i materiali conosciuti.
- Consente il controllo del profilo angolato grazie ad un angolo del fascio di incisione variabile rispetto alla superficie del campione/maschera.
- Consente il controllo del profilo/parete laterale e la modellazione delle caratteristiche.
- Le funzionalità dei gas reattivi consentono velocità di attacco più elevate e una maggiore selettività dell'attacco di vari materiali attraverso specie reattive.
Parametri tecnici
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Dimensioni del substrato attaccabile |
6 pollici |
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Uniformità dell'incisione |
±5% |
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Materiale incisibile |
SiO2, SiNx, zaffiro, diamante, niobato di litio, ossido di metallo, ecc. |
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Gas disponibili |
Gas a base di N2, O2, Ar, fluoro o misti |
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Sorgente ionica RF |
Potenza FR: 1KW, Energia del fascio ionico: 1000eV, Corrente del fascio ionico: 1000mA |
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